H01L 29/00 - Полупроводниковые приборы для выпрямления, усиления, генерирования или переключения, а также конденсаторы или резисторы, содержащие по меньшей мере один потенциальный барьер, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностный барьер, например имеющие обедненный слой с электронно-дырочным переходом или слой с повышенной концентрацией носителей; конструктивные элементы полупроводниковых подложек или электродов для них (H01L 31/00-H01L 47/00,H01L 51/00 имеют преимущество; способы и устройства для изготовления или обработки приборов или их частей H01L 21/00; конструктивные элементы иные чем полупроводниковые приборы или электроды для них H01L 23/00; приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированные на одной общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; резисторы вообще H01C; конденсаторы вообще H01G) [2,6]

---

Примечание :

В этой основной группе приборы классифицируются в рубриках H01L 29/02-H01L 29/51 и в H01L 29/66-H01L 29/96 в той мере, в какой эти рубрики соответствуют им [2].

29/02

.

полупроводниковые подложки [2]

29/04

.

.

отличающиеся кристаллической структурой, например поликристаллическая структура с кубической решеткой, с определенной ориентацией кристаллической плоскости (с дефектом кристаллической решетки H01L 29/30) [2]

29/06

.

.

отличающиеся формой; отличающиеся формами, относительными размерами или расположением полупроводниковых областей [2]

29/08

.

.

.

с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами [2]

29/10

.

.

.

с полупроводниковой областью, соединенной с электродом, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток, и таким же электродом, являющимся частью полупроводникового прибора с тремя или более электродами [2]

29/12

.

.

отличающиеся материалами, из которых они образованы [2]

29/14

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/12)

29/15

.

.

.

структуры с периодическим или квазипериодическим изменением потенциала, например источники многоквантованные, сверхрешетки [6]

Примечание :

Рубрика H01L 29/15 имеет преимущество перед рубриками H01L 29/16-H01L 29/26 [6].

29/16

.

.

.

содержащие, кроме легирующих материалов или других примесей, элементы только из четвертой группы Периодической Системы в несвязанном (свободном) виде [2]

29/161

.

.

.

.

содержащие несколько элементов, предусмотренных в H01L 29/16 [2]

29/163

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/161)

29/165

.

.

.

.

.

в разных полупроводниковых областях [2]

29/167

.

.

.

.

отличающиеся легирующими материалами [2]

29/18

.

.

.

только из селена или теллура, не считая легирующих и прочих примесей [2]

29/20

.

.

.

содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIIBV [2,6]

29/201

.

.

.

.

включая два или более соединения [2]

29/203

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/201)

29/205

.

.

.

.

.

в разных полупроводниковых областях [2]

29/207

.

.

.

.

отличающиеся легирующими материалами [2]

29/22

.

.

.

содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только соединения типа AIIBVI [2]

29/221

.

.

.

.

включая два или более соединения [2]

29/223

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/221)

29/225

.

.

.

.

.

в разных полупроводниковых областях [2]

29/227

.

.

.

.

отличающиеся легирующими материалами [2]

29/24

.

.

.

содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, только неорганические полупроводниковые материалы, не предусмотренные в H01L 29/16,H01L 29/18,H01L 29/20, H01L 29/22 (содержащие органические материалы H01L 51/00)

29/26

.

.

.

содержащие, кроме легирующих материалов и других примесей, элементы, предусмотренные в H01L 29/16,H01L 29/18,H01L 29/20,H01L 29/22 и H01L 29/24 [2]

29/263

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/26)

29/267

.

.

.

.

в разных полупроводниковых областях [2]

29/28

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 51/00)

29/30

.

.

отличающиеся физическими дефектами структуры; имеющие полированную или шероховатую поверхность [2]

29/32

.

.

.

с дефектами структуры внутри полупроводниковой подложки [2]

29/34

.

.

.

с дефектами структуры на поверхности полупроводниковой подложки [2]

29/36

.

.

отличающиеся концентрацией или распределением примесей [2]

29/38

.

.

отличающиеся комбинацией особенностей, предусмотренных в двух или более рубриках H01L 29/04, H01L 29/06,H01L 29/12,H01L 29/30 и H01L 29/36[2]

29/40

.

электроды

29/41

.

.

отличающиеся формой, соответственными размерами или расположением [6]

29/417

.

.

.

пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток [6]

29/42

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/41-H01L 29/51)

29/423

.

.

.

не пропускающие выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток [6]

29/43

.

.

отличающиеся материалами, из которых они сформированы [6]

29/44

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/41-H01L 29/51)

29/45

.

.

.

электроды с омическим сопротивлением [6]

29/46

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/41-H01L 29/51)

29/47

.

.

.

электроды с барьером Шотки [6]

29/48

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/41-H01L 29/51)

29/49

.

.

.

электроды структуры МДП-структуры (металл-диэлектрик-полупроводник) [6]

29/50

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/41-H01L 29/51)

29/51

.

.

.

.

диэлектрические материалы, относящиеся к электродам [6]

29/52

- 29/64 (Рубрики аннулированы. Содержание перенесено в H01L 29/41-H01L 29/51)

29/66

.

типы полупроводниковых приборов [2]

29/68

.

.

управляемые только электрическим током или потенциалом, приложенным к электроду, по которому не проходит выпрямляемый, усиливаемый или переключаемый ток (H01L 29/96 имеет преимущество) [2]

29/70

.

.

.

биполярные приборы [2]

29/72

.

.

.

.

приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы [2]

29/73

.

.

.

.

.

биполярные плоскостные транзисторы [5]

29/732

.

.

.

.

.

.

вертикальные транзисторы [6]

29/735

.

.

.

.

.

.

горизонтальные транзисторы [6]

29/737

.

.

.

.

.

.

гетеротранзисторы [6]

29/739

.

.

.

.

.

управляемые полевым эффектом [6]

29/74

.

.

.

.

приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией [2]

29/743

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/74)

29/744

.

.

.

.

.

с выключением приборов по управляющему электроду [6]

29/745

.

.

.

.

.

.

с выключением с помощью полевого эффекта [6]

29/747

.

.

.

.

.

двунаправленные приборы, например симисторы (симметричные триодные тиристоры) [2]

29/749

.

.

.

.

.

с выключением с помощью полевого эффекта [6]

29/76

.

.

.

униполярные приборы [2]

29/762

.

.

.

.

приборы с переносом заряда [6]

29/765

.

.

.

.

.

приборы с зарядовой связью [6]

29/768

.

.

.

.

.

.

с полевым эффектом, обеспечиваемым изолирующим затвором [6]

29/772

.

.

.

.

полевые транзисторы [6]

29/775

.

.

.

.

.

с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения одной полярности, например квантуемый по проводам полевой транзистор [6]

29/778

.

.

.

.

.

с каналом с кристаллическим газ-носителем при подаче на затвор напряжения двух полярностей, например транзисторы с высокой подвижностью электронов) [6]

29/78

.

.

.

.

.

с полевым эффектом, создаваемым при помощи изолированного затвора [2]

29/784

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/772,H01L 29/78)

29/786

.

.

.

.

.

.

тонкопленочные транзисторы [6]

29/788

.

.

.

.

.

.

с плавающим затвором [5]

29/792

.

.

.

.

.

.

с изолятором затвора, захватывающим заряды, например запоминающий МНОП-транзистор [5]

29/796

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/768)

29/80

.

.

.

.

.

с полевым эффектом, создаваемым при помощи управляющего p-n-перехода или другого выпрямляющего перехода [2]

29/804

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/772,H01L 29/80)

29/808

.

.

.

.

.

.

с затвором в виде p-n-перехода [5]

29/812

.

.

.

.

.

.

с затвором типа барьера Шотки [5]

29/816

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01L 29/765)

29/82

.

.

управляемые только изменением магнитного поля, приложенного к прибору (H01L 29/96 имеет преимущество) [2,6]

29/84

.

.

управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления (H01L 29/96 имеет преимущество) [2,6]

29/86

.

.

управляемые только изменением электрического тока или электрического потенциала, приложенного к одному или нескольким электродам, по которым проходит выпрямляемый, усиливаемый, генерируемый или переключаемый ток (H01L 29/96 имеет преимущество) [2]

29/8605

.

.

.

плоскостные резисторы с p-n-переходом [6]

29/861

.

.

.

диоды [6]

29/862

.

.

.

.

точечные диоды [6]

29/864

.

.

.

.

инжекционно-пролетные диоды, например лавинно- пролетные диоды, лавинно-ключевые диоды [6]

29/866

.

.

.

.

диоды Зеннера [6]

29/868

.

.

.

.

p-i-n диоды [6]

29/87

.

.

.

.

диодные тиристоры, например диоды Шохлея, обращенные диоды [6]

29/872

.

.

.

.

диоды Шотки [6]

29/88

.

.

.

.

туннельные диоды [2]

29/885

.

.

.

.

.

туннельные диоды Есаки [6]

29/90

,29/91 (Рубрики аннулированы. Содержание перенесено в H01L 29/861-H01L 29/885)

29/92

.

.

.

конденсаторы с потенциальным барьером, на котором имеет место скачок потенциала, или с поверхностным барьером [2]

29/93

.

.

.

.

диоды с регулируемой емкостью, например варакторы [2]

29/94

.

.

.

.

конденсаторы с МДП-структурой, например МОП-структурой [2]

29/95

(Рубрика аннулирована. Содержание перенесено в H01G 4/12)

29/96

.

.

типа, который рассматривается по меньшей мере в двух из рубрик H01L 29/68,H01L 29/82,H01L 29/84 или H01L 29/86 [2]